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p型半导体和n型半导体区别（p型半导体）
发布时间：2024-09-27 15:31:48编辑：蒋浩群来源：
今天小编岚岚来为大家解答以上的问题。p型半导体和n型半导体区别，p型半导体相信很多小伙伴还不知道,现在让我们一起来看看吧！
1、P型半导体，也称为空穴型半导体。
2、P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
3、1特点半导体中有两种载流子：导带中的电子和价带中的空穴。
4、 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴，则该类型的半导体就称为P型半导体。
5、 “P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。
6、在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。
7、因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。
8、例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。
9、[由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。
10、空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。
11、掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。
12、2形成原理要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。
13、在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。
14、对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧化物半导体中，化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子，氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴，Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体，且当它们在氧压中加热后，空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷，均称受主。
本文就为大家分享到这里，希望小伙伴们会喜欢。
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